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Current-induced spin polarization in isotropic k-cubed Rashba model: Theoretical study for p-doped semiconductor heterostructures and perovskite oxides interfaces

机译:各向同性k-cubed Rashba模型中的电流诱导自旋极化:   p掺杂半导体异质结构和钙钛矿的理论研究   氧化物界面

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摘要

Using the Matsubara Green's function formalism we calculate the temperaturedependence of the nonequilibrium spin polarization induced by an externalelectric field in the presence of spin-orbit coupling. The model Hamiltonianincludes an isotropic k-cubed form of the Rashba spin-orbit interaction. Such aHamiltonian captures the electronic and spin properties of two-dimensionalelectron (hole) gas at the surfaces or interfaces of transition metal oxides orin p-doped semiconductor heterostructures. The induced spin polarization iscalculated for the nonmagnetic as well as magnetic electron/hole gas. Relationof the spin polarization to the Berry curvature is also discussed.
机译:使用松原格林函数形式主义,我们计算了在存在自旋轨道耦合的情况下由外部电场引起的非平衡自旋极化的温度依赖性。哈密​​顿量模型包括Rashba自旋轨道相互作用的各向同性K形形式。这种哈密顿量在过渡金属氧化物的表面或界面处或在p掺杂的半导体异质结构中捕获了二维电子(空穴)气体的电子和自旋特性。计算非磁性以及磁性电子/空穴气体的感应自旋极化。还讨论了自旋极化与贝里曲率的关系。

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